TX40N06B
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- 制造商编号：
- TX40N06B
- 制造商：
- XDS(芯鼎盛)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 38.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.766503 | ￥1.77 |
| 10 | ￥1.423933 | ￥14.24 |
| 30 | ￥1.27707 | ￥38.31 |
| 100 | ￥1.093929 | ￥109.39 |
| 500 | ￥0.905325 | ￥452.66 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TX40N06B
制造商
XDS(芯鼎盛)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 38.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
35A(Tc)
栅源极阈值电压
2V @ 250uA
漏源导通电阻
25mΩ @ 38.8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
250W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
TX40N06B品牌厂家：XDS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、TX40N06B
数据手册PDF。
TX40N06B
型号：TX40N06B
品牌：XDS
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.766503 |
| 10+： | ￥1.423933 |
| 30+： | ￥1.27707 |
| 100+： | ￥1.093929 |
| 500+： | ￥0.905325 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.77