VSD007N06MS
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- 制造商编号：
- VSD007N06MS
- 制造商：
- Vanguard(威兆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：85A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
库存 ：387
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
VSD007N06MS
制造商
Vanguard(威兆)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：85A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
85A(Tc)
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
9mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
100W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
VSD007N06MS 同类别型号
注
VSD007N06MS品牌厂家：Vanguard
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、VSD007N06MS
数据手册PDF。
VSD007N06MS
型号：VSD007N06MS
品牌：Vanguard
供货：锐单
库存：387 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00