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1N60L-T92-K

TC(德昌)
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制造商编号:
1N60L-T92-K
制造商:
TC(德昌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.2A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道
渠道:
自营

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定价(含税)

数量 价格 总计
5 0.872532 4.36
50 0.703616 35.18
150 0.619156 92.87
1000 0.555812 555.81
2000 0.505138 1010.28

规格参数

属性
参数值

制造商型号

1N60L-T92-K

制造商

TC(德昌)

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.2A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道

漏源电压(Vdss)

600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

1.2A

栅源极阈值电压

4V @ 250uA

漏源导通电阻

11.5Ω @ 600mA,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

1W

类型

N沟道

包装方式

袋装

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型号:1N60L-T92-K

品牌:TC

供货:锐单

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单价:

5+: ¥0.872532
50+: ¥0.703616
150+: ¥0.619156
1000+: ¥0.555812
2000+: ¥0.505138

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