CS4N60A8HD
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- 制造商编号：
- CS4N60A8HD
- 制造商：
- 华润华晶(华润华晶)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.879172 | ￥1.88 |
| 10 | ￥1.574694 | ￥15.75 |
| 30 | ￥1.444203 | ￥43.33 |
| 100 | ￥1.313712 | ￥131.37 |
| 500 | ￥1.226719 | ￥613.36 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
CS4N60A8HD
制造商
华润华晶(华润华晶)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
4A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
2.3Ω @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
75W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
CS4N60A8HD 同类别型号
注
CS4N60A8HD品牌厂家：华润华晶
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、CS4N60A8HD
数据手册PDF。
CS4N60A8HD
型号：CS4N60A8HD
品牌：华润华晶
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.879172 |
| 10+： | ￥1.574694 |
| 30+： | ￥1.444203 |
| 100+： | ￥1.313712 |
| 500+： | ￥1.226719 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.88