WPM2006-6/TR
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- 制造商编号：
- WPM2006-6/TR
- 制造商：
- WILLSEMI(韦尔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：120mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.45W 类型：P沟道
- 渠道：
库存 ：5810
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
WPM2006-6/TR
制造商
WILLSEMI(韦尔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：120mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.45W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
3A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
120mΩ @ 2.8A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.45W
类型
P沟道
包装方式
编带
WPM2006-6/TR 同类别型号
注
WPM2006-6/TR品牌厂家：WILLSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、WPM2006-6/TR
数据手册PDF。
WPM2006-6/TR
型号：WPM2006-6/TR
品牌：WILLSEMI
供货：锐单
库存：5810 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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