WPM1483-3/TR
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- 制造商编号：
- WPM1483-3/TR
- 制造商：
- WILLSEMI(韦尔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.2A 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：37mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：570mW 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥0.551701 | ￥2.76 |
| 50 | ￥0.4468 | ￥22.34 |
| 150 | ￥0.394348 | ￥59.15 |
| 500 | ￥0.35501 | ￥177.50 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
WPM1483-3/TR
制造商
WILLSEMI(韦尔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.2A 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：37mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：570mW 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
12V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
3.2A
栅源极阈值电压
850mV @ 250uA
漏源导通电阻
37mΩ @ 3.5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
570mW
类型
P沟道
包装方式
编带
WPM1483-3/TR 同类别型号
注
WPM1483-3/TR品牌厂家：WILLSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、WPM1483-3/TR
数据手册PDF。
WPM1483-3/TR
型号：WPM1483-3/TR
品牌：WILLSEMI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥0.551701 |
| 50+： | ￥0.4468 |
| 150+： | ￥0.394348 |
| 500+： | ￥0.35501 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00