LSB65R070GF
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- 制造商编号：
- LSB65R070GF
- 制造商：
- LONTEN(龙腾半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：47A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 23.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：290W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥23.133031 | ￥23.13 |
| 10 | ￥19.865777 | ￥198.66 |
| 30 | ￥17.920723 | ￥537.62 |
| 100 | ￥15.964741 | ￥1596.47 |
| 500 | ￥15.057778 | ￥7528.89 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
LSB65R070GF
制造商
LONTEN(龙腾半导体)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：47A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 23.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：290W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
47A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
70mΩ @ 23.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
290W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
LSB65R070GF 同类别型号
注
LSB65R070GF品牌厂家：LONTEN
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购LSB65R070GF、查询LSB65R070GF代理商；
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替代型号
、LSB65R070GF
数据手册PDF。
LSB65R070GF
型号：LSB65R070GF
品牌：LONTEN
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥23.133031 |
| 10+： | ￥19.865777 |
| 30+： | ￥17.920723 |
| 100+： | ￥15.964741 |
| 500+： | ￥15.057778 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥23.13