PTP08N06N
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- 制造商编号：
- PTP08N06N
- 制造商：
- PIP(丽隽)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：156W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
库存 ：96
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
PTP08N06N
制造商
PIP(丽隽)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：156W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
110A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
8mΩ @ 24A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
156W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
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注
PTP08N06N品牌厂家：PIP
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
PTP08N06N
型号：PTP08N06N
品牌：PIP
供货：锐单
库存：96 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00