LND7N65D
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- 制造商编号：
- LND7N65D
- 制造商：
- LONTEN(龙腾半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.779558 | ￥2.78 |
| 10 | ￥2.153627 | ￥21.54 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
LND7N65D
制造商
LONTEN(龙腾半导体)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
7A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
1.4Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
39W
类型
N沟道
包装方式
管装
LND7N65D 同类别型号
注
LND7N65D品牌厂家：LONTEN
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购LND7N65D、查询LND7N65D代理商；
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替代型号
、LND7N65D
数据手册PDF。
LND7N65D
型号：LND7N65D
品牌：LONTEN
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.779558 |
| 10+： | ￥2.153627 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.78