BR100N03
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- 制造商编号：
- BR100N03
- 制造商：
- BL(博林)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥2.20403 | ￥11.02 |
| 50 | ￥1.723777 | ￥86.19 |
| 150 | ￥1.537357 | ￥230.60 |
| 500 | ￥1.304607 | ￥652.30 |
| 2000 | ￥1.201016 | ￥2402.03 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BR100N03
制造商
BL(博林)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
100A(Tc)
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
4.5mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
100W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
BR100N03 同类别型号
注
BR100N03品牌厂家：BL
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、BR100N03
数据手册PDF。
BR100N03
型号：BR100N03
品牌：BL
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥2.20403 |
| 50+： | ￥1.723777 |
| 150+： | ￥1.537357 |
| 500+： | ￥1.304607 |
| 2000+： | ￥1.201016 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00