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WPM1481-6/TR

WILLSEMI(韦尔)
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制造商编号:
WPM1481-6/TR
制造商:
WILLSEMI(韦尔)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A 漏源电压(Vdss):12V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道
渠道:
自营

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定价(含税)

数量 价格 总计
5 0.694388 3.47
20 0.633827 12.68
100 0.573278 57.33
500 0.512718 256.36
1000 0.484461 484.46

规格参数

属性
参数值

制造商型号

WPM1481-6/TR

制造商

WILLSEMI(韦尔)

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A 漏源电压(Vdss):12V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道

漏源电压(Vdss)

12V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

4.3A

栅源极阈值电压

900mV @ 250uA

漏源导通电阻

28mΩ @ 5.5A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)

1.4W

类型

P沟道

包装方式

编带

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型号:WPM1481-6/TR

品牌:WILLSEMI

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20+: ¥0.633827
100+: ¥0.573278
500+: ¥0.512718
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