PSA04N65B
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- 制造商编号：
- PSA04N65B
- 制造商：
- PIP(丽隽)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.462769 | ￥1.46 |
| 10 | ￥1.23998 | ￥12.40 |
| 30 | ￥1.144499 | ￥34.33 |
| 100 | ￥1.049018 | ￥104.90 |
| 500 | ￥0.985364 | ￥492.68 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
PSA04N65B
制造商
PIP(丽隽)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
4A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
2.5Ω @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
30W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
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注
PSA04N65B品牌厂家：PIP
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
PSA04N65B
型号：PSA04N65B
品牌：PIP
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.462769 |
| 10+： | ￥1.23998 |
| 30+： | ￥1.144499 |
| 100+： | ￥1.049018 |
| 500+： | ￥0.985364 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.46