AOT8N50L
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- 制造商编号：
- AOT8N50L
- 制造商：
- AOS
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：192W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.032163 | ￥4.03 |
| 10 | ￥3.365599 | ￥33.66 |
| 30 | ￥3.026854 | ￥90.81 |
| 100 | ￥2.699036 | ￥269.90 |
| 500 | ￥2.491418 | ￥1245.71 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
AOT8N50L
制造商
AOS
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：192W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
9A(Tc)
栅源极阈值电压
4.5V @ 250uA
漏源导通电阻
850mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
192W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
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注
AOT8N50L品牌厂家：AOS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
AOT8N50L
型号：AOT8N50L
品牌：AOS
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.032163 |
| 10+： | ￥3.365599 |
| 30+： | ￥3.026854 |
| 100+： | ￥2.699036 |
| 500+： | ￥2.491418 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.03