SI2301A
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- 制造商编号：
- SI2301A
- 制造商：
- MW(台湾明纬)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：142mΩ @ 2A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：50
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ￥0.109164 | ￥5.46 |
| 500 | ￥0.0872 | ￥43.60 |
| 3000 | ￥0.073431 | ￥220.29 |
| 6000 | ￥0.06611 | ￥396.66 |
| 24000 | ￥0.059772 | ￥1434.53 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI2301A
制造商
MW(台湾明纬)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：142mΩ @ 2A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
2.8A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
142mΩ @ 2A,2.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
400mW
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
SI2301A品牌厂家：MW
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
SI2301A
型号：SI2301A
品牌：MW
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 50+： | ￥0.109164 |
| 500+： | ￥0.0872 |
| 3000+： | ￥0.073431 |
| 6000+： | ￥0.06611 |
| 24000+： | ￥0.059772 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00