EMF20B02V
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- 制造商编号：
- EMF20B02V
- 制造商：
- EMC(杰力)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.5A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 8.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.757233 | ￥1.76 |
| 10 | ￥1.413501 | ￥14.14 |
| 30 | ￥1.164296 | ￥34.93 |
| 100 | ￥0.958819 | ￥95.88 |
| 500 | ￥0.923683 | ￥461.84 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
EMF20B02V
制造商
EMC(杰力)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.5A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 8.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双P沟道
漏源电压（Vdss）
-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
8.5A
栅源极阈值电压
1.2V @ 250uA
漏源导通电阻
20mΩ @ 8.5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
2W
类型
双P沟道
包装方式
编带
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注
EMF20B02V品牌厂家：EMC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、EMF20B02V
数据手册PDF。
EMF20B02V
型号：EMF20B02V
品牌：EMC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.757233 |
| 10+： | ￥1.413501 |
| 30+： | ￥1.164296 |
| 100+： | ￥0.958819 |
| 500+： | ￥0.923683 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.76