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CJBD3020

CJ(长晶科技)
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制造商编号:
CJBD3020
制造商:
CJ(长晶科技)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道
渠道:
自营

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:5

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
5 1.992806 9.96
50 1.62565 81.28
150 1.468297 220.24
500 1.271935 635.97

规格参数

属性
参数值

制造商型号

CJBD3020

制造商

CJ(长晶科技)

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

20A

栅源极阈值电压

3V @ 250uA

漏源导通电阻

15mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

1.5W

类型

N沟道

包装方式

编带

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型号:CJBD3020

品牌:CJ

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

5+: ¥1.992806
50+: ¥1.62565
150+: ¥1.468297
500+: ¥1.271935

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