EMB09P03V
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- 制造商编号：
- EMB09P03V
- 制造商：
- EMC(杰力)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
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整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
EMB09P03V
制造商
EMC(杰力)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
24A(Tc)
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
9.5mΩ @ 13A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
2.5W
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
EMB09P03V品牌厂家：EMC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
EMB09P03V
型号：EMB09P03V
品牌：EMC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00