AS4435S
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- 制造商编号：
- AS4435S
- 制造商：
- AnBon(台湾安邦)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：P沟道
- 渠道：
库存 ：3157
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
AS4435S
制造商
AnBon(台湾安邦)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
11A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
20mΩ @ 9.1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
3.1W
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
AS4435S品牌厂家：AnBon
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
AS4435S
型号：AS4435S
品牌：AnBon
供货：锐单
库存：3157 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00