SE2102M
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- 制造商编号：
- SE2102M
- 制造商：
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：600mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：170mW(Tj) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：20
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 20 | ￥0.231807 | ￥4.64 |
| 200 | ￥0.185092 | ￥37.02 |
| 600 | ￥0.15914 | ￥95.48 |
| 2000 | ￥0.143569 | ￥287.14 |
| 8000 | ￥0.130074 | ￥1040.59 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE2102M
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：600mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：170mW(Tj) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
600mA
栅源极阈值电压
900mV @ 250uA
漏源导通电阻
350mΩ @ 600mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
170mW(Tj)
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
SE2102M品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、SE2102M
数据手册PDF。
SE2102M
型号：SE2102M
品牌：SINO-IC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 20+： | ￥0.231807 |
| 200+： | ￥0.185092 |
| 600+： | ￥0.15914 |
| 2000+： | ￥0.143569 |
| 8000+： | ￥0.130074 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00