NCE40H20AD
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- 制造商编号：
- NCE40H20AD
- 制造商：
- 无锡新洁能(无锡新洁能)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.6mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：285W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：10
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ￥16.05672 | ￥160.57 |
| 50 | ￥11.460672 | ￥573.03 |
| 100 | ￥8.762256 | ￥876.23 |
| 200 | ￥7.51032 | ￥1502.06 |
| 400 | ￥6.819552 | ￥2727.82 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NCE40H20AD
制造商
无锡新洁能(无锡新洁能)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.6mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：285W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
200A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
2.6mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
285W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
NCE40H20AD品牌厂家：无锡新洁能
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、NCE40H20AD
数据手册PDF。
NCE40H20AD
型号：NCE40H20AD
品牌：无锡新洁能
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10+： | ￥16.05672 |
| 50+： | ￥11.460672 |
| 100+： | ￥8.762256 |
| 200+： | ￥7.51032 |
| 400+： | ￥6.819552 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00