HSST3139
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- 制造商编号：
- HSST3139
- 制造商：
- HUASHUO(华朔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ￥0.367261 | ￥3.67 |
| 100 | ￥0.301697 | ￥30.17 |
| 300 | ￥0.268915 | ￥80.67 |
| 3000 | ￥0.218 | ￥654.00 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSST3139
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
1A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
230mΩ @ 1A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
750mW
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
HSST3139品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
HSST3139
型号：HSST3139
品牌：HUASHUO
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10+： | ￥0.367261 |
| 100+： | ￥0.301697 |
| 300+： | ￥0.268915 |
| 3000+： | ￥0.218 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00