HY1607B
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- 制造商编号：
- HY1607B
- 制造商：
- HUAYI(华羿微)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：68V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：7.8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：115W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.409308 | ￥3.41 |
| 10 | ￥2.775527 | ￥27.76 |
| 30 | ￥2.491418 | ￥74.74 |
| 100 | ￥2.152672 | ￥215.27 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
HY1607B
制造商
HUAYI(华羿微)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：68V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：7.8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：115W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
68V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
80A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
7.8mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
115W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
HY1607B 同类别型号
注
HY1607B品牌厂家：HUAYI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购HY1607B、查询HY1607B代理商；
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、HY1607B
数据手册PDF。
HY1607B
型号：HY1607B
品牌：HUAYI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.409308 |
| 10+： | ￥2.775527 |
| 30+： | ￥2.491418 |
| 100+： | ￥2.152672 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.41