EMB17A03G
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- 制造商编号：
- EMB17A03G
- 制造商：
- EMC(杰力)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.395614 | ￥1.40 |
| 10 | ￥1.165399 | ￥11.65 |
| 30 | ￥1.066735 | ￥32.00 |
| 100 | ￥0.968071 | ￥96.81 |
| 500 | ￥0.902295 | ￥451.15 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
EMB17A03G
制造商
EMC(杰力)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道
漏源电压（Vdss）
-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
10A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
17mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
2W
类型
双N沟道
包装方式
编带
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注
EMB17A03G品牌厂家：EMC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、EMB17A03G
数据手册PDF。
EMB17A03G
型号：EMB17A03G
品牌：EMC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.395614 |
| 10+： | ￥1.165399 |
| 30+： | ￥1.066735 |
| 100+： | ￥0.968071 |
| 500+： | ￥0.902295 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.40