HY030N06C2
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- 制造商编号：
- HY030N06C2
- 制造商：
- HUAYI(华羿微)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：65V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.124146 | ￥5.12 |
| 10 | ￥4.434561 | ￥44.35 |
| 30 | ￥4.084464 | ￥122.53 |
| 100 | ￥3.829848 | ￥382.98 |
| 500 | ￥3.585841 | ￥1792.92 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
HY030N06C2
制造商
HUAYI(华羿微)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：65V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
65V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
100A(Tc)
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
2.8mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
48W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
HY030N06C2 同类别型号
注
HY030N06C2品牌厂家：HUAYI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购HY030N06C2、查询HY030N06C2代理商；
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替代型号
、HY030N06C2
数据手册PDF。
HY030N06C2
型号：HY030N06C2
品牌：HUAYI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.124146 |
| 10+： | ￥4.434561 |
| 30+： | ￥4.084464 |
| 100+： | ￥3.829848 |
| 500+： | ￥3.585841 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.12