CS12N06AE-G
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- CS12N06AE-G
- 制造商：
- 华润华晶(华润华晶)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：1.9V @ 250uA 漏源导通电阻：13.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.2W 类型：N沟道
- 渠道：
库存 ：10210
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
CS12N06AE-G
制造商
华润华晶(华润华晶)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：1.9V @ 250uA 漏源导通电阻：13.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.2W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
12A
栅源极阈值电压
1.9V @ 250uA
漏源导通电阻
13.5mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
3.2W
类型
N沟道
包装方式
编带
CS12N06AE-G 相关产品
CS12N06AE-G 同类别型号
注
CS12N06AE-G品牌厂家：华润华晶
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购CS12N06AE-G、查询CS12N06AE-G代理商；
CS12N06AE-G价格批发咨询客服；这里拥有
CS12N06AE-G中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到CS12N06AE-G
替代型号
、CS12N06AE-G
数据手册PDF。
CS12N06AE-G
型号：CS12N06AE-G
品牌：华润华晶
供货：锐单
库存：10210 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00