BRD2N60
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- 制造商编号：
- BRD2N60
- 制造商：
- BL(博林)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：37W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.833341 | ￥1.83 |
| 10 | ￥1.536289 | ￥15.36 |
| 30 | ￥1.408981 | ￥42.27 |
| 100 | ￥1.281673 | ￥128.17 |
| 500 | ￥1.196801 | ￥598.40 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BRD2N60
制造商
BL(博林)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：37W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
2A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
37W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
BRD2N60品牌厂家：BL
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、BRD2N60
数据手册PDF。
BRD2N60
型号：BRD2N60
品牌：BL
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.833341 |
| 10+： | ￥1.536289 |
| 30+： | ￥1.408981 |
| 100+： | ￥1.281673 |
| 500+： | ￥1.196801 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥1.83