HSH120N85
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- 制造商编号：
- HSH120N85
- 制造商：
- HUASHUO(华朔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：220W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.480181 | ￥4.48 |
| 10 | ￥3.715272 | ￥37.15 |
| 30 | ￥3.332817 | ￥99.98 |
| 100 | ￥2.950363 | ￥295.04 |
| 500 | ￥2.425854 | ￥1212.93 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSH120N85
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：220W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
85V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
120A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
5.5mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
220W
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
HSH120N85品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、HSH120N85
数据手册PDF。
HSH120N85
型号：HSH120N85
品牌：HUASHUO
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.480181 |
| 10+： | ￥3.715272 |
| 30+： | ￥3.332817 |
| 100+： | ￥2.950363 |
| 500+： | ￥2.425854 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.48