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HSM4410

HUASHUO(华朔)
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制造商编号:
HSM4410
制造商:
HUASHUO(华朔)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道
渠道:
自营

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:5

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
5 0.973729 4.87
50 0.790151 39.51
150 0.711475 106.72
500 0.613238 306.62

规格参数

属性
参数值

制造商型号

HSM4410

制造商

HUASHUO(华朔)

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

12A

栅源极阈值电压

2.5V @ 250uA

漏源导通电阻

9.5mΩ @ 12A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

2.5W

类型

N沟道

包装方式

编带

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型号:HSM4410

品牌:HUASHUO

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

5+: ¥0.973729
50+: ¥0.790151
150+: ¥0.711475
500+: ¥0.613238

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