HSU3031
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- 制造商编号：
- HSU3031
- 制造商：
- HUASHUO(华朔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.873872 | ￥2.87 |
| 10 | ￥2.283799 | ￥22.84 |
| 30 | ￥2.032472 | ￥60.97 |
| 100 | ￥1.715581 | ￥171.56 |
| 500 | ￥1.573527 | ￥786.76 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSU3031
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
70A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
7.2mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
90W
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
HSU3031品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
HSU3031
型号：HSU3031
品牌：HUASHUO
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.873872 |
| 10+： | ￥2.283799 |
| 30+： | ￥2.032472 |
| 100+： | ￥1.715581 |
| 500+： | ￥1.573527 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.87