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HSM4407

HUASHUO(华朔)
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制造商编号:
HSM4407
制造商:
HUASHUO(华朔)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道
渠道:
自营

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 1.338919 1.34
10 1.077319 10.77
30 0.965206 28.96
100 0.825337 82.53

规格参数

属性
参数值

制造商型号

HSM4407

制造商

HUASHUO(华朔)

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

11.5A

栅源极阈值电压

2.5V @ 250uA

漏源导通电阻

15mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

1.5W

类型

P沟道

包装方式

编带

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型号:HSM4407

品牌:HUASHUO

供货:锐单

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10+: ¥1.077319
30+: ¥0.965206
100+: ¥0.825337

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