HSBB3060
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- 制造商编号：
- HSBB3060
- 制造商：
- HUASHUO(华朔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：9.8mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.237295 | ￥1.24 |
| 10 | ￥1.003998 | ￥10.04 |
| 30 | ￥0.904013 | ￥27.12 |
| 100 | ￥0.779333 | ￥77.93 |
| 500 | ￥0.723713 | ￥361.86 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSBB3060
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：9.8mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
45A
栅源极阈值电压
2.2V @ 250uA
漏源导通电阻
9.8mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
21W
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
HSBB3060品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
HSBB3060
型号：HSBB3060
品牌：HUASHUO
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.237295 |
| 10+： | ￥1.003998 |
| 30+： | ￥0.904013 |
| 100+： | ￥0.779333 |
| 500+： | ￥0.723713 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.24