VSE090N10MS
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- 制造商编号：
- VSE090N10MS
- 制造商：
- Vanguard(威兆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：103mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥0.875838 | ￥4.38 |
| 50 | ￥0.699389 | ￥34.97 |
| 150 | ￥0.623768 | ￥93.57 |
| 500 | ￥0.529347 | ￥264.67 |
| 2500 | ￥0.487335 | ￥1218.34 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
VSE090N10MS
制造商
Vanguard(威兆)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：103mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
14A
栅源极阈值电压
2.4V @ 250uA
漏源导通电阻
103mΩ @ 5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
30W
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
VSE090N10MS品牌厂家：Vanguard
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、VSE090N10MS
数据手册PDF。
VSE090N10MS
型号：VSE090N10MS
品牌：Vanguard
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥0.875838 |
| 50+： | ￥0.699389 |
| 150+： | ￥0.623768 |
| 500+： | ￥0.529347 |
| 2500+： | ￥0.487335 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00