P1825HDB
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- 制造商编号：
- P1825HDB
- 制造商：
- NIKO-SEM(尼克森)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：74W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.28879 | ￥3.29 |
| 10 | ￥2.737122 | ￥27.37 |
| 30 | ￥2.461288 | ￥73.84 |
| 100 | ￥2.249108 | ￥224.91 |
| 500 | ￥2.058146 | ￥1029.07 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
P1825HDB
制造商
NIKO-SEM(尼克森)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：74W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
250V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
18A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
230mΩ @ 9A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
74W
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
P1825HDB品牌厂家：NIKO-SEM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
P1825HDB
型号：P1825HDB
品牌：NIKO-SEM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.28879 |
| 10+： | ￥2.737122 |
| 30+： | ￥2.461288 |
| 100+： | ￥2.249108 |
| 500+： | ￥2.058146 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.29