EMB20N03V
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- 制造商编号：
- EMB20N03V
- 制造商：
- EMC(杰力)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥0.634739 | ￥3.17 |
| 50 | ￥0.507431 | ￥25.37 |
| 150 | ￥0.443777 | ￥66.57 |
| 500 | ￥0.396036 | ￥198.02 |
| 2500 | ￥0.357844 | ￥894.61 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
EMB20N03V
制造商
EMC(杰力)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
12A(Tc)
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
20mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
21W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
EMB20N03V品牌厂家：EMC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、EMB20N03V
数据手册PDF。
EMB20N03V
型号：EMB20N03V
品牌：EMC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥0.634739 |
| 50+： | ￥0.507431 |
| 150+： | ￥0.443777 |
| 500+： | ￥0.396036 |
| 2500+： | ￥0.357844 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00