SE2N7002K(ESD)
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- 制造商编号：
- SE2N7002K(ESD)
- 制造商：
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ￥0.34693 | ￥3.47 |
| 100 | ￥0.283276 | ￥28.33 |
| 300 | ￥0.251449 | ￥75.43 |
| 1000 | ￥0.227579 | ￥227.58 |
| 5000 | ￥0.208482 | ￥1042.41 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE2N7002K(ESD)
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
300mA
栅源极阈值电压
850mV @ 250uA
漏源导通电阻
2Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
350mW
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
SE2N7002K(ESD)品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、SE2N7002K(ESD)
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SE2N7002K(ESD)
型号：SE2N7002K(ESD)
品牌：SINO-IC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10+： | ￥0.34693 |
| 100+： | ￥0.283276 |
| 300+： | ￥0.251449 |
| 1000+： | ￥0.227579 |
| 5000+： | ￥0.208482 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00