P6010DDG
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- 制造商编号：
- P6010DDG
- 制造商：
- NIKO-SEM(尼克森)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.243599 | ￥4.24 |
| 10 | ￥3.628277 | ￥36.28 |
| 30 | ￥3.331225 | ￥99.94 |
| 100 | ￥3.097828 | ￥309.78 |
| 500 | ￥2.875039 | ￥1437.52 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
P6010DDG
制造商
NIKO-SEM(尼克森)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
20A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
60mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
50W
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
P6010DDG品牌厂家：NIKO-SEM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
P6010DDG
型号：P6010DDG
品牌：NIKO-SEM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.243599 |
| 10+： | ￥3.628277 |
| 30+： | ￥3.331225 |
| 100+： | ￥3.097828 |
| 500+： | ￥2.875039 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.24