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P6010DDG

NIKO-SEM(尼克森)
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制造商编号:
P6010DDG
制造商:
NIKO-SEM(尼克森)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:P沟道
渠道:
自营

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 4.243599 4.24
10 3.628277 36.28
30 3.331225 99.94
100 3.097828 309.78
500 2.875039 1437.52

规格参数

属性
参数值

制造商型号

P6010DDG

制造商

NIKO-SEM(尼克森)

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:P沟道

漏源电压(Vdss)

-100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

20A

栅源极阈值电压

4V @ 250uA

漏源导通电阻

60mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

50W

类型

P沟道

包装方式

编带

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P6010DDG

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型号:P6010DDG

品牌:NIKO-SEM

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥4.243599
10+: ¥3.628277
30+: ¥3.331225
100+: ¥3.097828
500+: ¥2.875039

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