RU6888S-R
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- 制造商编号：
- RU6888S-R
- 制造商：
- Ruichips(锐骏半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：88A(Tc) 漏源电压（Vdss）：68V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
RU6888S-R
制造商
Ruichips(锐骏半导体)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：88A(Tc) 漏源电压（Vdss）：68V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
68V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
88A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
8mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
120W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
RU6888S-R品牌厂家：Ruichips
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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RU6888S-R
型号：RU6888S-R
品牌：Ruichips
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00