SE4607
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- 制造商编号：
- SE4607
- 制造商：
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A,2.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：N沟道和P沟道
- 渠道：
库存 ：950
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE4607
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A,2.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：N沟道和P沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
4.2A,2.8A
栅源极阈值电压
1.2V @ 250uA
漏源导通电阻
45mΩ @ 2.8A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.2W
类型
N沟道和P沟道
包装方式
编带
SE4607 同类别型号
注
SE4607品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
SE4607
型号：SE4607
品牌：SINO-IC
供货：锐单
库存：950 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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