SW088R06VT
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- 制造商编号：
- SW088R06VT
- 制造商：
- MW(台湾明纬)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：11.6mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
SW088R06VT
制造商
MW(台湾明纬)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：11.6mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
40A(Tc)
栅源极阈值电压
2.4V @ 250uA
漏源导通电阻
11.6mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
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类型
N沟道
包装方式
编带
SW088R06VT 同类别型号
注
SW088R06VT品牌厂家：MW
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、SW088R06VT
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SW088R06VT
型号：SW088R06VT
品牌：MW
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00