TMD7N65H
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TMD7N65H
- 制造商：
- 无锡紫光微(无锡紫光微)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.35Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：97W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
库存 ：1385
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TMD7N65H
制造商
无锡紫光微(无锡紫光微)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.35Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：97W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
7A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
1.35Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
97W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
TMD7N65H 同类别型号
注
TMD7N65H品牌厂家：无锡紫光微
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购TMD7N65H、查询TMD7N65H代理商；
TMD7N65H价格批发咨询客服；这里拥有
TMD7N65H中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到TMD7N65H
替代型号
、TMD7N65H
数据手册PDF。
TMD7N65H
型号：TMD7N65H
品牌：无锡紫光微
供货：锐单
库存：1385 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00