SED10070GG
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- 制造商编号：
- SED10070GG
- 制造商：
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9.8mΩ @ 39A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：170W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.190763 | ￥3.19 |
| 10 | ￥2.60069 | ￥26.01 |
| 30 | ￥2.305654 | ￥69.17 |
| 100 | ￥2.010618 | ￥201.06 |
| 500 | ￥1.835781 | ￥917.89 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SED10070GG
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9.8mΩ @ 39A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：170W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
70A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
9.8mΩ @ 39A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
170W
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
SED10070GG品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
SED10070GG
型号：SED10070GG
品牌：SINO-IC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.190763 |
| 10+： | ￥2.60069 |
| 30+： | ￥2.305654 |
| 100+： | ￥2.010618 |
| 500+： | ￥1.835781 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.19