HSBA3094
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- 制造商编号：
- HSBA3094
- 制造商：
- HUASHUO(华朔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：85A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.153627 | ￥2.15 |
| 10 | ￥1.750485 | ￥17.50 |
| 30 | ￥1.580741 | ￥47.42 |
| 100 | ￥1.410997 | ￥141.10 |
| 500 | ￥1.294298 | ￥647.15 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSBA3094
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：85A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
85A
栅源极阈值电压
2.2V @ 250uA
漏源导通电阻
2.2mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
48W
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
HSBA3094品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
HSBA3094
型号：HSBA3094
品牌：HUASHUO
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.153627 |
| 10+： | ￥1.750485 |
| 30+： | ￥1.580741 |
| 100+： | ￥1.410997 |
| 500+： | ￥1.294298 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.15