HSCC8233
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- 制造商编号：
- HSCC8233
- 制造商：
- HUASHUO(华朔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：7.2mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：双N沟道(共漏)
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥2.027118 | ￥10.14 |
| 50 | ￥1.659961 | ￥83.00 |
| 150 | ￥1.502609 | ￥225.39 |
| 500 | ￥1.306355 | ￥653.18 |
| 3000 | ￥1.061366 | ￥3184.10 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSCC8233
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：7.2mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：双N沟道(共漏)
漏源电压（Vdss）
-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
11A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
7.2mΩ @ 5.5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.56W
类型
双N沟道(共漏)
包装方式
编带
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注
HSCC8233品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
HSCC8233
型号：HSCC8233
品牌：HUASHUO
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥2.027118 |
| 50+： | ￥1.659961 |
| 150+： | ￥1.502609 |
| 500+： | ￥1.306355 |
| 3000+： | ￥1.061366 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00