HSU3903
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- 制造商编号：
- HSU3903
- 制造商：
- HUASHUO(华朔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A,24A 漏源电压（Vdss）：30V,-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 10A,10V,30mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W 类型：N沟道和P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥1.711539 | ￥8.56 |
| 50 | ￥1.371919 | ￥68.60 |
| 150 | ￥1.226367 | ￥183.96 |
| 500 | ￥1.044756 | ￥522.38 |
| 2500 | ￥0.963895 | ￥2409.74 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSU3903
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A,24A 漏源电压（Vdss）：30V,-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 10A,10V,30mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W 类型：N沟道和P沟道
漏源电压（Vdss）
30V,-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
30A,24A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
18mΩ @ 10A,10V,30mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
25W
类型
N沟道和P沟道
包装方式
编带
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注
HSU3903品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
HSU3903
型号：HSU3903
品牌：HUASHUO
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥1.711539 |
| 50+： | ￥1.371919 |
| 150+： | ￥1.226367 |
| 500+： | ￥1.044756 |
| 2500+： | ￥0.963895 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00