EMB17C03G
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- 制造商编号：
- EMB17C03G
- 制造商：
- EMC(杰力)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc),8(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 10A,10V;20mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W(Tc) 类型：N沟道和P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.462769 | ￥1.46 |
| 10 | ￥1.206562 | ￥12.07 |
| 30 | ￥1.096758 | ￥32.90 |
| 100 | ￥0.986955 | ￥98.70 |
| 500 | ￥0.913753 | ￥456.88 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
EMB17C03G
制造商
EMC(杰力)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc),8(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 10A,10V;20mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W(Tc) 类型：N沟道和P沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
10A(Tc),8(Tc)
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
17mΩ @ 10A,10V;20mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
2W(Tc)
类型
N沟道和P沟道
包装方式
编带
EMB17C03G 同类别型号
注
EMB17C03G品牌厂家：EMC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、EMB17C03G
数据手册PDF。
EMB17C03G
型号：EMB17C03G
品牌：EMC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.462769 |
| 10+： | ￥1.206562 |
| 30+： | ￥1.096758 |
| 100+： | ￥0.986955 |
| 500+： | ￥0.913753 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.46