RU75N08L
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- 制造商编号：
- RU75N08L
- 制造商：
- Ruichips(锐骏半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：158W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.296644 | ￥4.30 |
| 10 | ￥3.670713 | ￥36.71 |
| 30 | ￥3.363052 | ￥100.89 |
| 100 | ￥3.129655 | ￥312.97 |
| 500 | ￥2.906866 | ￥1453.43 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
RU75N08L
制造商
Ruichips(锐骏半导体)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：158W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
75V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
80A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
11mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
158W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
RU75N08L品牌厂家：Ruichips
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
RU75N08L
型号：RU75N08L
品牌：Ruichips
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.296644 |
| 10+： | ￥3.670713 |
| 30+： | ￥3.363052 |
| 100+： | ￥3.129655 |
| 500+： | ￥2.906866 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.30