AM4392N-T1
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- 制造商编号：
- AM4392N-T1
- 制造商：
- VBsemi(台湾微碧)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：260mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.042028 | ￥4.04 |
| 10 | ￥3.320616 | ￥33.21 |
| 30 | ￥2.800776 | ￥84.02 |
| 100 | ￥2.376416 | ￥237.64 |
| 500 | ￥2.302153 | ￥1151.08 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
AM4392N-T1
制造商
VBsemi(台湾微碧)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：260mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
200V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
3A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
260mΩ @ 3A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
3W
类型
N沟道
包装方式
编带
AM4392N-T1 同类别型号
注
AM4392N-T1品牌厂家：VBsemi
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购AM4392N-T1、查询AM4392N-T1代理商；
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替代型号
、AM4392N-T1
数据手册PDF。
AM4392N-T1
型号：AM4392N-T1
品牌：VBsemi
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.042028 |
| 10+： | ￥3.320616 |
| 30+： | ￥2.800776 |
| 100+： | ￥2.376416 |
| 500+： | ￥2.302153 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.04