Si2399DS-T1
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- 制造商编号：
- Si2399DS-T1
- 制造商：
- VBsemi(台湾微碧)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道
- 渠道：
库存 ：70
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
Si2399DS-T1
制造商
VBsemi(台湾微碧)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
5A(Tc)
栅源极阈值电压
1.5V @ 250uA
漏源导通电阻
35mΩ @ 5.1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
2.5W(Tc)
类型
P沟道
包装方式
编带
Si2399DS-T1 同类别型号
注
Si2399DS-T1品牌厂家：VBsemi
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购Si2399DS-T1、查询Si2399DS-T1代理商；
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替代型号
、Si2399DS-T1
数据手册PDF。
Si2399DS-T1
型号：Si2399DS-T1
品牌：VBsemi
供货：锐单
库存：70 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00