VBMB1208N
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- 制造商编号：
- VBMB1208N
- 制造商：
- VBsemi(台湾微碧)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.319801 | ￥11.32 |
| 10 | ￥9.166175 | ￥91.66 |
| 30 | ￥7.606652 | ￥228.20 |
| 100 | ￥6.312354 | ￥631.24 |
| 500 | ￥6.100174 | ￥3050.09 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
VBMB1208N
制造商
VBsemi(台湾微碧)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
200V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
20A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
-
最大功率耗散（Ta=25°C）
42W
类型
N沟道
包装方式
管装
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注
VBMB1208N品牌厂家：VBsemi
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、VBMB1208N
数据手册PDF。
VBMB1208N
型号：VBMB1208N
品牌：VBsemi
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.319801 |
| 10+： | ￥9.166175 |
| 30+： | ￥7.606652 |
| 100+： | ￥6.312354 |
| 500+： | ￥6.100174 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.32