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AO4614&-30

VBsemi(台湾微碧)
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制造商编号:
AO4614&-30
制造商:
VBsemi(台湾微碧)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.8A,6.6A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 6.8A,10V;40mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道
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AO4614&-30

制造商

VBsemi(台湾微碧)

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.8A,6.6A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 6.8A,10V;40mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

6.8A,6.6A

栅源极阈值电压

2V @ 250uA

漏源导通电阻

18mΩ @ 6.8A,10V;40mΩ @ 8A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

2W

类型

N沟道和P沟道

包装方式

编带

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型号:AO4614&-30

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